Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

sales@angeltondal.com

86-755-89992216

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.
HomeProdukterIndustrial Smart Module AccessoriesDDR3 UDIMM minnemodulspesifikasjoner

DDR3 UDIMM minnemodulspesifikasjoner

Betalings type:
L/C,T/T,D/A
Incoterm:
FOB,EXW,CIF
Min. Rekkefølge:
1 Piece/Pieces
Transport:
Ocean,Air,Express,Land
Share:
Chat nå
  • produktbeskrivelse
Overview
Produktegenskaper

Modell nr.NSO4GU3AB

Forsyningsevne og tilleggsinformasjon

TransportOcean,Air,Express,Land

Betalings typeL/C,T/T,D/A

IncotermFOB,EXW,CIF

Emballasje og levering
Selge enheter:
Piece/Pieces

4 GB 1600MHz 240-pinners DDR3 udimm


Endringshistorikk

Revision No.

History

Draft Date

Remark

1.0

Initial Release

Apr. 2022

 

Bestilling av informasjonstabell

Model

Density

Speed

Organization

Component Composition

NS04GU3AB

4GB

1600MHz

512Mx64bit

DDR3 256Mx8 *16


Beskrivelse
Hengstar ubufret DDR3 SDRAM DIMMS (ubuffered dobbel datahastighet synkrone dram dobbelt in-line minnemoduler) er lav effekt, høyhastighets driftsminnemoduler som bruker DDR3 SDRAM-enheter. NS04GU3AB er en 512m x 64-bits to rangering 4GB DDR3-1600 CL11 1,5V SDRAM Unbuffered DIMM-produkt, basert på seksten 256m x 8-bit FBGA-komponenter. SPD er programmert til JEDEC Standard Latency DDR3-1600-tidspunktet 11-11-11 ved 1,5V. Hver 240-pinners DIMM bruker gullkontaktfingre. SDRAM ubufferet DIMM er beregnet på bruk som hovedminne når den er installert i systemer som PCer og arbeidsstasjoner.


Egenskaper
 Kraftforsyning: VDD = 1,5V (1.425V til 1.575V)
VDDQ = 1,5V (1.425V til 1.575V)
800MHz FCK for 1600MB/SEC/PIN
8 uavhengig intern bank
Programmerbar CAS -latens: 11, 10, 9, 8, 7, 6
Programmerbar additiv latens: 0, CL - 2 eller CL - 1 klokke
8-biters forhåndsfremstilling
Burst Lengde: 8 (Innblanding uten grense, sekvensiell med startadresse “000”), 4 med TCCD = 4 som ikke tillater sømløs lesing eller skriv [enten på farten ved hjelp av A12 eller MRS]
Bi-retningsdelingsdifferensialdata Strobe
 Intern (selv) kalibrering; Intern selvkalibrering gjennom ZQ PIN (RZQ: 240 Ohm ± 1%)
 Die terminering ved hjelp av ODT -pin
 Overgrepsoppdateringsperiode 7.8Us ved lavere enn Tcase 85 ° C, 3,9Us ved 85 ° C <Tcase <95 ° C
Synkron tilbakestilling
 Tilpassbar data-output Drive Styrke
Fly-by topology
PCB: Høyde 1.18 ”(30mm)
ROHS-kompatibel og halogenfri


Key Timing -parametere

MT/s

tRCD(ns)

tRP(ns)

tRC(ns)

CL-tRCD-tRP

DDR3-1600

13.125

13.125

48.125

2011/11/11


Adressebord

Configuration

Refresh count

Row address

Device bank address

Device configuration

Column Address

Module rank address

4GB

8K

32K A[14:0]

8 BA[2:0]

2Gb (256 Meg x 8)

1K A[9:0]

2 S#[1:0]


PIN -beskrivelser

Symbol

Type

Description

Ax

Input

Address inputs: Provide the row address  for ACTIVE commands, and the column
address and auto precharge bit (A10) for READ/WRITE commands, to select one location
out of the memory array in the respective bank. A10 sampled during a PRECHARGE
command determines whether the PRECHARGE applies to one bank (A10 LOW, bank
selected by BAx) or all banks (A10 HIGH). The address inputs also provide the op-code
during a LOAD MODE command. See the Pin Assignments table for density-specific
addressing information.

BAx

Input

Bank address inputs: Define the device bank to which an ACTIVE, READ, WRITE, or
PRECHARGE command is being applied. BA define which mode register (MR0, MR1,
MR2, or MR3) is loaded during the LOAD MODE command.

CKx,
CKx#

Input

Clock: Differential clock inputs. All control, command, and address input signals are
sampled on the crossing of the positive edge of CK and the negative edge of CK#.

CKEx

Input

Clock enable: Enables (registered HIGH) and disables (registered LOW) internal circuitry
and clocks on the DRAM.

DMx

Input

Data mask (x8 devices only): DM is an input mask signal for write data. Input data is
masked when DM is sampled HIGH, along with that input data, during a write access.
Although DM pins are input-only, DM loading is designed to match that of the DQ and DQS pins.

ODTx

Input

On-die  termination:  Enables  (registered  HIGH)  and  disables  (registered  LOW)
termination resistance internal to the DDR3 SDRAM. When enabled in normal operation,
ODT is only applied to the following pins: DQ, DQS, DQS#, DM, and CB. The ODT input will be ignored if disabled via the LOAD MODE command.

Par_In

Input

Parity input: Parity bit for Ax, RAS#, CAS#, and WE#.

RAS#,
CAS#,
WE#

Input

Command inputs: RAS#, CAS#, and WE# (along with S#) define the command being
entered.

RESET#

Input
(LVCMOS)

Reset: RESET# is an active LOW asychronous input that is connected to each DRAM and
the registering clock driver. After RESET# goes HIGH, the DRAM must be reinitialized as
though a normal power-up was executed.

Sx#

Input

Chip select: Enables (registered LOW) and disables (registered HIGH) the command
decoder.

SAx

Input

Serial address inputs: Used to configure the temperature sensor/SPD EEPROM address
range on the I2C bus.

SCL

Input

Serial
communication to and from the temperature sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

CBx

I/O

Check bits: Used for system error detection and correction.

DQx

I/O

Data input/output: Bidirectional data bus.

DQSx,
DQSx#

I/O

Data strobe: Differential data strobes. Output with read data; edge-aligned with read data;
input with write data; center-alig

SDA

I/O

Serial
sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

TDQSx,
TDQSx#

Output

Redundant data strobe (x8 devices only): TDQS is enabled/disabled via the LOAD
MODE command to the extended mode register (EMR). When TDQS is enabled, DM is
disabled and TDQS and TDQS# provide termination resistance; otherwise, TDQS# are no
function.

Err_Out#

Output (open
drain)

Parity error output: Parity error found on the command and address bus.

EVENT#

Output (open
drain)

Temperature event: The EVENT# pin is asserted by the temperature sensor when critical
temperature thresholds have been exceeded.

VDD

Supply

Power supply: 1.35V (1.283–1.45V) backward-compatible to 1.5V (1.425–1.575V). The
component VDD and VDDQ are connected to the module VDD.

VDDSPD

Supply

Temperature sensor/SPD EEPROM power supply: 3.0–3.6V.

VREFCA

Supply

Reference voltage: Control, command, and address VDD/2.

VREFDQ

Supply

Reference voltage: DQ, DM VDD/2.

VSS

Supply

Ground.

VTT

Supply

Termination voltage: Used for control, command, and address VDD/2.

NC

No connect: These pins are not connected on the module.

NF

No function: These pins are connected within the module, but provide no functionality.

Merknader Tabellen PIN -beskrivelsen nedenfor er en omfattende liste over alle mulige pinner for alle DDR3 -moduler. Alle listede pinner kan ikke støttes på denne modulen. Se PIN -er for informasjon som er spesifikk for denne modulen.


Funksjonell blokkdiagram

4 GB, 512mx64 modul (2rank av x8)

1


2


Merk:
1. ZQ -ballen på hver DDR3 -komponent er koblet til en ekstern 240Ω ± 1% motstand som er bundet til bakken. Det brukes til kalibrering av komponentens terminering og utgangsdriver.



Moduldimensjoner


Forfra

3

Forfra

4

Merknader:
1. Alle dimensjoner er i millimeter (tommer); Maks/min eller typisk (typ) der det er nevnt.
2. Toleranse på alle dimensjoner ± 0,15 mm med mindre annet er spesifisert.
3. Dimensjonsdiagrammet er kun for referanse.

Produkt kategorier : Industrial Smart Module Accessories

E-post til denne leverandøren
  • *Emne:
  • *Til:
    Mr. Jummary
  • *e-post:
  • *Budskap:
    Din melding må være mellom 20-8000 tegn
HomeProdukterIndustrial Smart Module AccessoriesDDR3 UDIMM minnemodulspesifikasjoner
Send forespørsel
*
*

Hjem

Product

Phone

Om oss

Forespørsel

Vi vil kontakte deg umiddelbart

Fyll ut mer informasjon slik at det kan komme i kontakt med deg raskere

Personvernerklæring: Ditt personvern er veldig viktig for oss. Vårt selskap lover å ikke røpe din personlige informasjon til noen ekspanien til de eksplisitte tillatelsene dine.

Sende